小型坩堝熔煉爐igbt的均壓和均流措施

在逆變橋和整流橋中，由于IGBT設備容量大、輸出電壓高，加上目前生產的IGBT耐壓和額定電流有限，使單個元件達不到要求，需要用多個元件串聯(lián)或并聯(lián)組成橋臂，以達到所需的電壓、電流要求，這就需要考慮元件間的均壓和均流問題。

(1)在小坩堝熔爐中，將可控硅的額定正向阻斷峰值電壓和反向阻斷峰值電壓串聯(lián)時，應采用串聯(lián)連接。

參與串聯(lián)的各元件J必須是同一種型號，盡可能選擇具有正向漏電特性和反向漏電特性的元件，如果能保證控制極觸發(fā)特性的一致性更好。還要采取均壓措施。

在小型坩堝熔爐中，SCR串聯(lián)串聯(lián)時，需進行降壓運行，即實際工作電壓小于串聯(lián)額定反峰壓之和的90%。另外，元件串聯(lián)后，對控制極的觸發(fā)脈沖要求增加，要求串聯(lián)的IGBT的啟動時間間隔要小。所以脈沖前端要陡峭(在1~2微秒內)，觸發(fā)功率要大。

(2)當元件并聯(lián)某一元件的額定正向平均電流不能滿足要求時，應采用并聯(lián)連接。參與并聯(lián)的各元件的前向導通壓降和觸發(fā)特性應盡可能保持一致。

元器件在并聯(lián)后應采取均流措施，可在各元件串聯(lián)電阻或電感后再并聯(lián)，也可阻地采用均流電抗器。對于中頻設備，采用套磁環(huán)(等效均勻擾動法)較為方便。

分流器通過分流器后，總的工作電流應該不太大，不能超過80%的干元件額定電流之和，要求觸發(fā)脈沖源內阻小，脈寬不能太陡。

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