因
熔煉爐的中頻容量較大,平均充電電壓可達(dá)電源電壓U,因此在分析時(shí),可將其看作一種直流電源。在IGBT導(dǎo)通下,通過感應(yīng)負(fù)載,充電電流fc逐漸增加。這一方面造成了RH的損耗,另一方面使得CF的電場能量中的磁場能量增加。充電到電源電壓時(shí),達(dá)。
在熔化爐中頻的磁場能量釋放,使電流保持原定方向,并繼續(xù)充電,直至磁場能量消失減少至零,C處電壓高于電源電壓,稱為振蕩過充電。此時(shí),在負(fù)載上流過半個(gè)周渡電流,其波形近似為正弦波。隨后,換向電容,開始放電,反向并聯(lián)=極管,導(dǎo)通,負(fù)載通過反向電流。當(dāng)放電電流增大、C端電壓降低時(shí),電位上逐漸積存磁場能量。在放電到電源電壓值時(shí),選擇放電電流。隨后,電感內(nèi)的磁場能使放電過程繼續(xù),直到磁能消失,放電電流為零,這一過程形成電流的反向半波。
二極管導(dǎo)通過程中,即負(fù)載電流負(fù)半波期間,IGBT的反向電壓數(shù)值等于二極管正向壓降,以保證晶閘管恢復(fù)受阻。