新世紀(jì)初,圓柱形坩鍋和高頻淬火花隙開關(guān)電源逐漸替代了熔融設(shè)備。60時(shí)代末,固體高頻溝通交流器替代了騰電發(fā)電機(jī)組.1927年,磁感應(yīng)加熱剛開始運(yùn)用到對(duì)鑄鐵件表層的熱處理加熱中。第二次世界大戰(zhàn)促進(jìn)了感應(yīng)加熱電源加熱運(yùn)用技術(shù)性的發(fā)展趨勢(shì),高頻固態(tài)電源于1967年剛開始運(yùn)用。
感應(yīng)加熱電源圖片
感應(yīng)加熱電源加熱技術(shù)性的發(fā)展趨勢(shì)與電力電子器件的發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)。1957年,美國(guó)通用電氣公司研發(fā)出*個(gè)晶閘管,此后,電力電子技術(shù)宣布問世.70時(shí)代中后期,以門極可關(guān)閉晶閘管(GTO)、電力工程雙極型晶體管(BJT)和電力工程場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power-MOSFET)為意味著的全控型元器件*發(fā)展趨勢(shì)。
感應(yīng)加熱電源機(jī)型
GTO的出現(xiàn)促使感應(yīng)加熱電源的構(gòu)造簡(jiǎn)單,另外能用外界數(shù)據(jù)信號(hào)操縱其關(guān)閉,提升了磁感應(yīng)開關(guān)電源的可信性。IGBT的出現(xiàn),不但提升感應(yīng)加熱電源的頻率和輸出功率,另外開關(guān)電源更為趨于模塊化設(shè)計(jì)。IGBT的出現(xiàn),不但提升感應(yīng)加熱電源的頻率和輸出功率,另外開關(guān)電源更為趨于控制模塊。
高頻感應(yīng)加熱電源-并聯(lián)諧振逆變構(gòu)造 感應(yīng)加熱電源-DSP與FPGA雙處理器 高頻感應(yīng)加熱電源-環(huán)保節(jié)能耗能低零污染 感應(yīng)加熱電源-線圈交替變化電磁場(chǎng) 感應(yīng)加熱電源-譜振逆變電源 感應(yīng)加熱電源-逆變負(fù)荷優(yōu)越 高頻感應(yīng)加熱電源-大功率就是好 感應(yīng)加熱電源主要性能要求